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富士電機電子技術(shù)上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊

日期:2025-12-11 20:13
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摘要:富士電機電子技術(shù)上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊 富士電機電子技術(shù)公司擴充了該公司IGBT模塊“U4系列”的產(chǎn)品線,新上市額定電壓高達1200V及1700V、額定電流為600~3600A的“HighPowerModule”。封裝尺寸與現(xiàn)有產(chǎn)品相同,可支持更大的額定電流。將用于產(chǎn)業(yè)用高壓大容量逆變器及風力發(fā)電系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換裝置等用途。 備有額定電壓為1200V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號,以及額定電壓為1700V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號。通過在底板材料中采用SiN(氮化硅)提高了熱傳導性。電...
富士電機電子技術(shù)上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊 

       富士電機電子技術(shù)公司擴充了該公司IGBT模塊“U4系列”的產(chǎn)品線,新上市額定電壓高達1200V及1700V、額定電流為600~3600A的“HighPowerModule”。封裝尺寸與現(xiàn)有產(chǎn)品相同,可支持更大的額定電流。將用于產(chǎn)業(yè)用高壓大容量逆變器及風力發(fā)電系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換裝置等用途。

備有額定電壓為1200V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號,以及額定電壓為1700V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號。通過在底板材料中采用SiN(氮化硅)提高了熱傳導性。電極結(jié)構(gòu)為溝道型。在抑制噪音的同時,降低了電力損失。

該公司將于08年10月1日上市額定電壓為1200V及1700V、額定電流為600/800/1200/1600A的10種產(chǎn)品。封裝尺寸方面,無論封裝1個還是封裝2個,10種產(chǎn)品均為130mm×140mm×38mm。而額定電壓為1200V及1700V、額定電流為2400/3600A的型號將于08年12月1日上市。各型號的標準價格為5萬~10萬日元。目標為到09年每月銷售5000個。

將于08年10月1日上市的10種產(chǎn)品的型號、額定電壓、額定電流及封裝構(gòu)成如下。

“2MBI600U4G-120” (1200V/ 600A, 一組2個)

“2MBI800U4G-120” (1200V/ 800A, 一組2個)

“2MBI1200U4G-120”(1200V/1200A, 一組2個)

“1MBI1200U4C-120”(1200V/1200A, 一組1個)

“1MBI1600U4C-120”(1200V/1600A, 一組1個)

“2MBI600U4G-170” (1700V/ 600A, 一組2個)

“2MBI800U4G-170” (1700V/ 800A, 一組2個)

“2MBI1200U4G-170”(1700V/1200A, 一組2個)

“1MBI1200U4C-170”(1700V/1200A, 一組1個)

“1MBI1600U4C-170”(1700V/1600A, 一組1個)

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